獨(dú)家分享CTS低功耗應(yīng)用的晶體振蕩器解決方案
　　物聯(lián)網(wǎng)[IoT]是一種新的無(wú)線試金石,它將實(shí)時(shí)信息,控制介質(zhì)和集線器連接到無(wú)線設(shè)備,例如電話,平板電腦和計(jì)算機(jī).這些應(yīng)用廣泛用于智能家居,智能城市,智能工廠,智能醫(yī)療保健,智能農(nóng)業(yè)和智能能源.通信協(xié)議和傳輸頻率受IPv6,UDP,QUIC,Aeron和uIP等標(biāo)準(zhǔn)的指導(dǎo).結(jié)果,為滿足新的通信要求而創(chuàng)建的下一代MCU,SoC或FPGA挑戰(zhàn)了芯片組設(shè)計(jì)人員開(kāi)發(fā)的架構(gòu),該架構(gòu)可提供改進(jìn)的快速通信,低噪聲性能,而且功耗低.利用低功率元件有助于長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)工作,但同時(shí)也增加了挑戰(zhàn),例如降低振蕩器增益裕度和信噪比.
　　當(dāng)前有數(shù)十億個(gè)已連接的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備.預(yù)計(jì)在未來(lái)十年內(nèi),隨著5G基礎(chǔ)設(shè)施以及更便宜的消費(fèi)類設(shè)備將隨時(shí)可用,連接設(shè)備的數(shù)量將呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng).5G承諾的看似無(wú)限的連接將繼續(xù)給基礎(chǔ)設(shè)施帶來(lái)負(fù)擔(dān),并推動(dòng)芯片組性能的極限,要求時(shí)序模塊和相關(guān)的頻率基準(zhǔn)提供非常可靠的低功耗運(yùn)行.
　　利用具有較低增益裕度[GM]的振蕩器設(shè)計(jì)的高級(jí)IoT芯片組需要具有低等效串聯(lián)電阻[ESR]和低電鍍電容[C0]的晶體,以確保在較寬的溫度范圍和較低的電池功率水平下快速啟動(dòng).許多芯片組[MCU,FPGA和SOC]的RF功能或時(shí)序模塊使用片上Pierce振蕩器配置來(lái)生成參考時(shí)鐘頻率.通常,該模塊是一個(gè)反相器放大器,該驅(qū)動(dòng)器通過(guò)添加一個(gè)外部石英晶體諧振器[Y1]和兩個(gè)負(fù)載電容器[CL1,CL2]來(lái)驅(qū)動(dòng)諧振回路,如圖1所示.可以包括一個(gè)附加的反饋電阻以幫助穩(wěn)定直流工作點(diǎn).

圖1:皮爾斯振蕩器

　　使用芯片組制造商提供的反相放大器的跨導(dǎo)值,可以計(jì)算出由放大器反饋環(huán)路和晶振諧振環(huán)路完成的參考時(shí)鐘的增益裕度GM.參見(jiàn)圖1.為在所有環(huán)境條件下保證晶體諧振電路的正常工作,增益裕度GM[或安全系數(shù)]至少應(yīng)大于3.0,目標(biāo)目標(biāo)應(yīng)大于5.0.

　　gm=逆變器放大器跨導(dǎo),以mA/V或µA/V為單位.
　　gm[minimum]=跨導(dǎo)值的極限,以mA/V或µA/V為單位,以確保適當(dāng)?shù)恼袷?
　　晶體的等效電路值也會(huì)影響增益裕度GM,并通過(guò)以下計(jì)算加以說(shuō)明.參見(jiàn)圖2作為參考.
　　gm[最小值]=4*R1*[2πf]2*[C0+CL]2
　　R1=晶體的運(yùn)動(dòng)串聯(lián)電阻[ESR]C0=晶體的分流電容
　　[電極和封裝電容]CL=晶體的電鍍負(fù)載電容
　　通過(guò)這個(gè)公式,并假設(shè)芯片組的反相放大器的gm值為固定值,它顯示了增加增益裕量GMis減小gm[minimum]的唯一方法.為低功率運(yùn)行而開(kāi)發(fā)的晶體的C0典型值小于3.0pF,gm[最小值]取決于R1的值和所選的負(fù)載電容CL.采用最小的串聯(lián)電阻值對(duì)CTS IoT增強(qiáng)型晶振[4xxW系列]進(jìn)行設(shè)計(jì)和處理,再加上較小的負(fù)載電容選項(xiàng),從而確保了安全增益裕量GM,可在所有條件下支持低功耗和可靠運(yùn)行客戶應(yīng)用程序.

圖2:晶體等效電路

CTS IoT頻率參考產(chǎn)品組合:
　　包含上述RF功能的MCU,FPGA或SOC通常用于通過(guò)無(wú)線協(xié)議發(fā)送和接收各種信息.這些芯片組需要MHz范圍內(nèi)的參考晶體來(lái)完成提供主系統(tǒng)數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)的振蕩器電路.此外,芯片組還可以包含用于計(jì)時(shí)功能的實(shí)時(shí)時(shí)鐘參考[kHz晶體].為了支持用于物聯(lián)網(wǎng)的下一代芯片組,CTS開(kāi)發(fā)了晶體系列,這些石英晶振系列具有前面概述的性能屬性.
物聯(lián)網(wǎng)增強(qiáng)型晶體[4xxW系列]:
　　新的CTS晶振型號(hào)[412W,416W,402W,425W,403W]提供增強(qiáng)的設(shè)計(jì)參數(shù),這些參數(shù)針對(duì)的是用于消費(fèi)者和工業(yè)[IIoT]的IoT企業(yè)中使用的低功耗無(wú)線協(xié)議.這些包括工作溫度范圍為-40℃~+125℃,嚴(yán)格的公差和穩(wěn)定性選項(xiàng),低電鍍電容,較小的負(fù)載電容值以及各種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的封裝尺寸.

關(guān)鍵4xxW晶振參數(shù)
　　•低電鍍電容[C0],<3.0pF
　　•低ESR范圍[R1]
　　•小負(fù)載電容選項(xiàng)[CL]
　　•溫度范圍為-40℃~+125℃
　　•穩(wěn)定性選項(xiàng)±10ppm~±150ppm
　　•基本晶體設(shè)計(jì)
　　•小型陶瓷表面貼裝
　　•卷帶包裝

模型/數(shù)據(jù)表	包裝尺寸[mm]	頻率[MHz]	公差@+25℃	最大ESR[Ohm]
412W	1.2x1.0	32~80基礎(chǔ)	±7ppm~30ppm	100~60
416W	1.6x1.2	24~52基礎(chǔ)	±10ppm~30ppm	150~80
402W	2.0x1.6	16~52基礎(chǔ)	±10ppm~30ppm	150~50
425W	2.5x2.0	16~52基礎(chǔ)	±10ppm~30ppm	100~40
403W	3.2x2.5	10~54基礎(chǔ)	±10ppm~30ppm	150~35

低ESR音叉晶體@32.768kHz:
　　當(dāng)今的許多電子設(shè)備都需要某種形式的計(jì)時(shí),包括當(dāng)前時(shí)間,日歷事件或處理計(jì)劃任務(wù).跟蹤時(shí)間并組織多項(xiàng)任務(wù),例如進(jìn)行測(cè)量,監(jiān)視通信和按需監(jiān)視喚醒;32.768kHz的實(shí)時(shí)時(shí)鐘參考[RTC]提供了一種支持此類關(guān)鍵功能的經(jīng)濟(jì)有效的解決方案.
　　便攜式或手持式電子產(chǎn)品使用低功耗FPGA和微控制器[MCU]來(lái)延長(zhǎng)電池使用壽命,以延長(zhǎng)其使用壽命.在低于+1.5V的電壓下工作時(shí),需要具有低ESR的晶體,以確保貼片晶振啟動(dòng)并在按需喚醒操作期間將電流消耗降至最低.CTS LowESR系列音叉晶體,最大電阻低至50k歐姆,具有~0.035ppm/℃2溫度系數(shù),+25℃轉(zhuǎn)換點(diǎn),標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載電容選項(xiàng)的經(jīng)典拋物線溫度曲線,并提供三種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)陶瓷包裝尺寸選擇;3.2mmx1.5mm[TFE32],2.0mmx1.2mm[TFE20]和1.6mmx1.0mm[TFE16].

TFE晶體關(guān)鍵參數(shù):
　　•低電鍍電容[C0],典型值為1.0pF
　　•低ESR值[R1]<50k歐姆
　　•小型負(fù)載電容選項(xiàng)[CL]
　　•溫度范圍為-40℃~+85℃
　　•小型陶瓷表面貼裝封裝
　　•卷帶包裝

型號(hào)/數(shù)據(jù)表	包裝尺寸[mm]	頻率[MHz]	公差@+25℃	溫度范圍
TFE16	1.6x1.0	32.768KHz	±20ppm	-40℃~+85℃
TFE20	2.0x1.2	32.768KHz	±20ppm	-40℃~+85℃
TFE32	3.2x1.5	32.768KHz	±20ppm	-40℃~+85℃

實(shí)時(shí)時(shí)鐘TCXO@32.768kHz:
　　對(duì)于需要更精確的32.768kHz參考(對(duì)于GPS功能通用)的應(yīng)用,CTSRTC解決方案為T(mén)T32-TCXO型.TT32在+3.3V時(shí)的最大電流消耗為1.5µA,在-40℃~+85℃的溫度范圍內(nèi),在±5.0ppm時(shí)具有非常嚴(yán)格的頻率穩(wěn)定性;準(zhǔn)確的時(shí)間保持溫度變化;與使用音叉諧振器的簡(jiǎn)單晶體器件相比.TT32溫補(bǔ)晶振的低功耗對(duì)于保持采用低功耗FPGA和微控制器[MCU]的便攜式或手持式電子設(shè)備的電池壽命至關(guān)重要.這也將有助于在按需喚醒操作期間最大程度地降低電流消耗.

TT32-TCXO關(guān)鍵參數(shù):
　　低電流消耗,<2A
　　緊密的頻率穩(wěn)定性,5.0ppm
　　溫度范圍為-40℃~+85℃
　　小型陶瓷表面貼裝封裝
　　膠帶和卷軸包裝

型號(hào)/數(shù)據(jù)表	包裝尺寸[mm]	頻率[MHz]	公差@+25℃	電源電壓[V]	輸出
TT32	3.2x2.5	32.768KHz	±5.0ppm	+1.8V~+3.3V	HCMOS

常見(jiàn)無(wú)線頻率:

頻率	無(wú)線協(xié)議	CTS解決方案
32.768kHz	實(shí)時(shí)時(shí)鐘參考[RTC]	TFE16 TFE20 TFE32
12.00MHz	CAN總線,USB	403W
13.56MHz	射頻識(shí)別	403W
16.00MHz	Wi~Fi,ZigBee,藍(lán)牙,低功耗藍(lán)牙	403W 425W 402W
19.20MHz	DECT,GPS,低功耗藍(lán)牙
20.00MHz	Wi~Fi,藍(lán)牙,USB
24.00MHz	Wi~Fi,藍(lán)牙,低功耗藍(lán)牙	403W 425W 402W 416W
25.00MHz	工業(yè),科學(xué),醫(yī)療廣播頻段
26.00MHz	WLAN,Wi~Fi,藍(lán)牙,低功耗藍(lán)牙,GSM,近距離通信
27.12MHz	射頻識(shí)別
30.00MHz	工業(yè),科學(xué),醫(yī)療廣播頻段
32.00MHz	ZigBee,藍(lán)牙,低功耗藍(lán)牙,6LanPan,RF4CE,LoRa	403W 425W 402W 416W 412W
37.40MHz	Wi~Fi,藍(lán)牙
38.40MHz	DECT,Wi~Fi,藍(lán)牙
40.00MHz	Wi~Fi,藍(lán)牙,低功耗藍(lán)牙,近場(chǎng)通信,SimpleLink
48.00MHz	Wi~Fi,藍(lán)牙,USB
52.00MHz	WLAN,Wi~Fi,GSM

結(jié)論:
　　物聯(lián)網(wǎng)是一個(gè)無(wú)限的空間,它將繼續(xù)發(fā)展,連接和交流各種設(shè)備,并且僅受人類想象力和創(chuàng)新的限制.隨著低功耗的不斷發(fā)展,在芯片組RF功能和相關(guān)頻率參考的開(kāi)發(fā)過(guò)程中,比以往任何時(shí)候都需要審查和考慮設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn),以便為耐用的用戶設(shè)備提供持久可靠的操作.
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此文關(guān)鍵字： CTS晶振方案低功耗晶體振蕩器物聯(lián)網(wǎng)晶振系列

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