晶振系列
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陶瓷晶振 taocijingzhen -
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陶瓷濾波器 taocilvboqi -
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精工晶振 SEIKO CRYSTAL -
村田晶振 muRata CRYSTAL -
西鐵城晶振 CITIZEN CRYSTAL -
愛普生晶振 EPSON CRYSTAL -
微孔霧化片 微孔霧化片 -
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美國CTS晶體 CTS石英晶體 -
臺(tái)灣希華晶體 臺(tái)灣希華 -
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臺(tái)灣TXC晶體 TXC CRYSTAL -
臺(tái)灣泰藝晶體 TAITIEN CRYSTAL -
臺(tái)灣亞陶晶體 百利通亞陶 -
臺(tái)灣NSK晶體 NSK CRYSTAL -
瑪居禮晶振 臺(tái)灣瑪居禮晶振 -
富士晶振 日本富士貼片晶振 -
SHINSUNG晶振 韓國進(jìn)口SHINSUNG晶振 -
SMI晶振 日本SMI貼片晶振 -
Lihom晶振 韓國Lihom晶振 -
NAKA晶振 日本納卡株式會(huì)社晶振 -
AKER晶振 臺(tái)灣安碁貼片晶振 -
NKG晶振 NKG石英晶振 -
NJR晶振 日本NJR晶振 -
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Statek晶振 Statek貼片晶體 -
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Jauch晶振 Jauch Crystal -
日蝕晶振 Ecliptek Crystal -
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維管晶振 Vectron Crystal -
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Microchip晶振 Microchip crystal -
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SKYWORKS晶振
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Renesas瑞薩晶振
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貼片陶瓷晶振 SMD 陶振 -
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數(shù)碼產(chǎn)品
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醫(yī)療產(chǎn)品
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汽車產(chǎn)品
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移動(dòng)產(chǎn)品
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智能家居
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網(wǎng)絡(luò)設(shè)備
- 規(guī)格型號(hào)：95822179
- 頻率：50MHz
- 尺寸：5032mm
- 產(chǎn)品描述：瑞薩電子,領(lǐng)先同行的6G發(fā)射器晶振,XAH335050.000000K晶振，瑞薩晶振公司，進(jìn)口晶振，有源晶振，六腳晶振，小體積晶振，6G通訊設(shè)備晶振，無人機(jī)晶振，歐美晶振，5032晶振，航空航天晶振，瑞薩XA器件是超精密晶體振蕩器...
瑞薩電子,領(lǐng)先同行的6G發(fā)射器晶振,XAH335050.000000K晶振
品說明.jpg)
瑞薩電子,領(lǐng)先同行的6G發(fā)射器晶振,XAH335050.000000K晶振，瑞薩晶振公司，進(jìn)口晶振，有源晶振，六腳晶振，小體積晶振，6G通訊設(shè)備晶振，無人機(jī)晶振，歐美晶振，5032晶振，航空航天晶振，瑞薩XA器件是超精密晶體振蕩器，典型相位抖動(dòng)為750至890fs，帶寬為12kHz至20MHz。XA系列晶體振蕩器的頻率范圍從0.750MHz到1350MHz，采用一系列專有的asic，重點(diǎn)關(guān)注降噪技術(shù)。三階δ σ調(diào)制器將噪聲降低到與傳統(tǒng)的大塊石英和SAW振蕩器相當(dāng)?shù)乃?。由于交貨時(shí)間短、成本低、噪聲低、頻率范圍寬、環(huán)境性能優(yōu)異，XA器件是傳統(tǒng)技術(shù)的最佳選擇。XA設(shè)備的穩(wěn)定性高達(dá)±25ppm，對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)和定制頻率都具有極快的交付速度。
品規(guī)格參數(shù)圖.jpg)
| Symbol | Parameter | Test Condition | Minimum | Typical | Maximum | Units | |
| F | 輸出頻率范圍 | LVDS. | 0.75 | — | 1350 | MHz | |
| LVPECL. | 0.75 | — | 1350 | ||||
| LVCMOS. | 0.75 | — | 250 | ||||
| 頻率容差 | Temperature = -40°C to +85°C. |
-25 -50 -100 |
— |
+25 +50 +100 |
ppm | ||
| Temperature = -40°C to +105°C. |
-50 -100 |
— |
+50 +100 |
ppm | |||
| 輸出負(fù)載 | LVDS. | Differential. | — | 100 | — | Ω | |
| LVPECL. | VDD - 2.0V. | — | 50 | — | |||
| LVCMOS. | To GND. | — | 15 | — | pF | ||
| TST | 啟動(dòng)時(shí)間 | Output valid time after VDD meets minimum specified level. | — | — | 10 | ms | |
| tR | 輸出上升時(shí)間 | LVDS. | 20% to 80% Vpp. | — | — | 400 | ps |
| LVPECL. | — | — | 400 | ||||
| LVCMOS. | 10% to 90% VDD. | — | — | 3 | ns | ||
| tF | 輸出下降時(shí)間 | LVDS. | 80% to 20% Vpp. | — | — | 400 | ps |
| LVPECL. | — | — | 400 | ||||
| LVCMOS. | 90% to 10% VDD. | — | — | 3 | ns | ||
| ODC | 輸出時(shí)鐘工作周期 | LVDS. | 45 | — | 55 | % | |
| LVPECL. | 45 | — | 55 | ||||
| LVCMOS. | FOUT < 62.5MHz. | 45 | — | 55 | |||
| FOUT > 62.5MHz. | 40 | — | 60 | ||||
| TOE | 輸出啟用/禁用時(shí)間 | — | — | — | 100 | ns | |
品尺寸圖.jpg)
瑞薩電子,領(lǐng)先同行的6G發(fā)射器晶振,XAH335050.000000K晶振
| 原廠編碼 | 生產(chǎn)商品牌 | 型號(hào) | 頻率 | 輸出 | 電源電壓 | 頻率容差 |
| XAH526033.300000I | Renesas晶振 | XA | 33.3 MHz | LVCMOS | 2.5V | ±25ppm |
| XAH335033.333000X | Renesas晶振 | XA | 33.333 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XAH335033.333333X | Renesas晶振 | XA | 33.333333 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XAH335060.000000X | Renesas晶振 | XA | 60 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XAH335080.000000K | Renesas晶振 | XA | 80 MHz | LVCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XAH335100.000000K | Renesas晶振 | XA | 100 MHz | LVCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XAH535156.250000I | Renesas晶振 | XA | 156.25 MHz | LVCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XAH535080.000000K | Renesas晶振 | XA | 80 MHz | LVCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XAH525075.000000I | Renesas晶振 | XA | 75 MHz | LVCMOS | 2.5V | ±50ppm |
| XAH530050.000000I | Renesas晶振 | XA | 50 MHz | LVCMOS | 3.3V | ±100ppm |
| XAH335180.000000I | Renesas晶振 | XA | 180 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XAH336080.000000I | Renesas晶振 | XA | 80 MHz | HCMOS | 3.3V | ±25ppm |
| XAH730002.000000K | Renesas晶振 | XA | 2 MHz | HCMOS | 3.3V | ±100ppm |
| XAH535050.000000K | Renesas晶振 | XA | 50 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XAH525040.000000K | Renesas晶振 | XA | 40 MHz | HCMOS | 2.5V | ±50ppm |
| XAH325016.640000K | Renesas晶振 | XA | 16.64 MHz | HCMOS | 2.5V | ±50ppm |
| XAH730001.000000K | Renesas晶振 | XA | 1 MHz | HCMOS | 3.3V | ±100ppm |
| XAH335026.000000K | Renesas晶振 | XA | 26 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XAH335024.000000K | Renesas晶振 | XA | 24 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XAH535125.000000K | Renesas晶振 | XA | 125 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XAH335014.745600K | Renesas晶振 | XA | 14.7456 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XAL335150.000000K | Renesas晶振 | XA | 150 MHz | LVDS | 3.3V | ±50ppm |
| XAL335133.000000K | Renesas晶振 | XA | 133 MHz | LVDS | 3.3V | ±50ppm |
| XAH536198.354700I | Renesas晶振 | XA | 198.3547 MHz | HCMOS | 3.3V | ±25ppm |
| XAH336000.127774I | Renesas晶振 | XA | 127.774 kHz | HCMOS | 3.3V | ±25ppm |
| XAH730008.000000K | Renesas晶振 | XA | 8 MHz | HCMOS | 3.3V | ±100ppm |
| XAH335080.000000I | Renesas晶振 | XA | 80 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XAH335000.127722I | Renesas晶振 | XA | 127.722 kHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XAH335000.127774I | Renesas晶振 | XA | 127.774 kHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XAH535048.000000I | Renesas晶振 | XA | 48 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XAH730075.000000I | Renesas晶振 | XA | 75 MHz | HCMOS | 3.3V | ±100ppm |
| XAH336100.000000X | Renesas晶振 | XA | 100 MHz | HCMOS | 3.3V | ±25ppm |
| XAP520100.000000I | Renesas晶振 | XA | 100 MHz | LVPECL | 2.5V | ±100ppm |
| XAH536080.000000I | Renesas晶振 | XA | 80 MHz | LVCMOS | 3.3V | ±25ppm |
| XAH536125.000000I | Renesas晶振 | XA | 125 MHz | LVCMOS | 3.3V | ±25ppm |
| XAH536003.330000I | Renesas晶振 | XA | 3.33 MHz | LVCMOS | 3.3V | ±25ppm |
| XAH335003.200000K | Renesas晶振 | XA | 3.2 MHz | LVCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XAH335032.000000K | Renesas晶振 | XA | 32 MHz | LVCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XAH335006.005285K | Renesas晶振 | XA | 6.005285 MHz | LVCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XAH335054.000000K | Renesas晶振 | XA | 54 MHz | LVCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XAH325025.000000K | Renesas晶振 | XA | 25 MHz | LVCMOS | 2.5V | ±50ppm |
| XAH335050.000000K | Renesas晶振 | XA | 50 MHz | LVCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XAH536025.000000I | Renesas晶振 | XA | 25 MHz | HCMOS | 3.3V | ±25ppm |
| XAH736049.152000I | Renesas晶振 | XA | 49.152 MHz | HCMOS | 3.3V | ±25ppm |
| XAH736080.000000I | Renesas晶振 | XA | 80 MHz | HCMOS | 3.3V | ±25ppm |
| XAH736100.000000I | Renesas晶振 | XA | 100 MHz | HCMOS | 3.3V | ±25ppm |
| XAH335125.000000I | Renesas晶振 | XA | 125 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XAL335106.250000I | Renesas晶振 | XA | 106.25 MHz | LVDS | 3.3V | ±50ppm |
| XAL335106.000000I | Renesas晶振 | XA | 106 MHz | LVDS | 3.3V | ±50ppm |
| XAL335200.000000K | Renesas晶振 | XA | 200 MHz | LVDS | 3.3V | ±50ppm |
| XAL336200.000000I | Renesas晶振 | XA | 200 MHz | LVDS | 3.3V | ±25ppm |
| XAL335266.000000K | Renesas晶振 | XA | 266 MHz | LVDS | 3.3V | ±50ppm |
| XAL335300.000000K | Renesas晶振 | XA | 300 MHz | LVDS | 3.3V | ±50ppm |
| XAL335135.000000K | Renesas晶振 | XA | 135 MHz | LVDS | 3.3V | ±50ppm |
| XAL336125.000000I | Renesas晶振 | XA | 125 MHz | LVDS | 3.3V | ±25ppm |
| XAL325033.333300K | Renesas晶振 | XA | 33.3333 MHz | LVDS | 2.5V | ±50ppm |
| XAL336100.000000I | Renesas晶振 | XA | 100 MHz | LVDS | 3.3V | ±25ppm |
| XAL326033.333330I | Renesas晶振 | XA | 33.33333 MHz | LVDS | 2.5V | ±25ppm |
| XAL330051.840000K | Renesas晶振 | XA | 51.84 MHz | LVDS | 3.3V | ±100ppm |
| XAL326864.000000I | Renesas晶振 | XA | 864 MHz | LVDS | 2.5V | ±25ppm |
| XAL526864.000000I | Renesas晶振 | XA | 864 MHz | LVDS | 2.5V | ±25ppm |
| XAL335100.000000K | Renesas晶振 | XA | 100 MHz | LVDS | 3.3V | ±50ppm |
| XAL335080.000000K | Renesas晶振 | XA | 80 MHz | LVDS | 3.3V | ±50ppm |
| XAL535033.000000K | Renesas晶振 | XA | 33 MHz | LVDS | 3.3V | ±50ppm |
| XAL325500.000000K | Renesas晶振 | XA | 500 MHz | LVDS | 2.5V | ±50ppm |
| XAL525500.000000K | Renesas晶振 | XA | 500 MHz | LVDS | 2.5V | ±50ppm |
| XAL525780.000000I | Renesas晶振 | XA | 780 MHz | LVDS | 2.5V | ±50ppm |
| XAL525150.000000K | Renesas晶振 | XA | 150 MHz | LVDS | 2.5V | ±50ppm |
| XAL335250.000000K | Renesas晶振 | XA | 250 MHz | LVDS | 3.3V | ±50ppm |
| XAL335A00.000000K | Renesas晶振 | XA | 1 GHz | LVDS | 3.3V | ±50ppm |
| XAP736200.000000I | Renesas晶振 | XA | 200 MHz | LVPECL | 3.3V | ±25ppm |
| XAL335500.000000K | Renesas晶振 | XA | 500 MHz | LVDS | 3.3V | ±50ppm |
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