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        晶振系列

        首頁進(jìn)口晶振希華晶振,OSC73晶振,5032晶振,有源晶振

          希華晶振,OSC73晶振,5032晶振,有源晶振

        • 規(guī)格型號(hào):40659515
        • 頻率:2.500MHZ-60.000MHZ
        • 尺寸:5.0*3.2*1.05mm 詳細(xì)資料請(qǐng)查看PDF
        • PDF
        • 產(chǎn)品描述:廣泛應(yīng)用于室外三鑒探測(cè)感應(yīng)哭,單反照相機(jī),智能手機(jī),單機(jī)多用戶,便捷式移動(dòng)電源,無線模塊等產(chǎn)品領(lǐng)域.

        希華晶振,OSC73晶振,5032晶振,有源晶振
        參數(shù):頻率范圍2.500MHZ-60.000MHZ
        電源電壓: 3.3V
        負(fù)載電容: 15PF
        工作溫度: -40℃~+85℃

        保存溫度: -40℃~+85℃
        精度 ±10ppm,±15ppm
        輸出方式:CMOS輸出 
        尺寸:小型重量輕5.0*3.2*1.05
        應(yīng)用:集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站,全球GSP定位系統(tǒng),多通道遙控器,家用醫(yī)療儀器等產(chǎn)品。

               臺(tái)灣希華敏銳地掌握電子產(chǎn)品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發(fā)展主流,致力于開發(fā)小型化、高頻與光電領(lǐng)域等產(chǎn)品,與日本同業(yè)并駕齊驅(qū)。且深耕微機(jī)電(MEMS)技術(shù)領(lǐng)域,加速導(dǎo)入SMD晶振量產(chǎn),藉以擴(kuò)大公司營收規(guī)模并且提升獲利空間。
               希華晶體科技股份有限公司,依據(jù)‘ISO 14001環(huán)境/OHSAS-18001安衛(wèi)管理系統(tǒng)’要求制定本‘環(huán)境/安衛(wèi)手冊(cè)’,以界定本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之范圍,包括任何排除之細(xì)節(jié)及調(diào)整,并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)與各書面、辦法書之對(duì)應(yīng)關(guān)系,包含在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)內(nèi)之流程順序及交互作用的描述。 


               希華晶振,OSC73晶振,5032晶振,有源晶振,5032mm的金屬外殼表面貼片型石英晶振,是在所有晶振體型中中等大小的一款石英晶體振蕩器,2.500M-60.000M中頻,可用于中高端的數(shù)碼電子行業(yè)領(lǐng)域,也是市場上常用的一款晶振OSC73晶振的優(yōu)勢(shì)在于它最低起振電壓是1.8V便可驅(qū)動(dòng),在滿足小型產(chǎn)品需求的同時(shí)也節(jié)省了電流。

        大河晶振型號(hào)/輸出類型 OSC73晶振,壓電石英晶體振蕩器
        晶振類型 OSC振蕩器
        輸出負(fù)載 15pF
        振蕩模式 基本/第三泛音
        電源電壓 3.3V
        頻率范圍2 2.500MHZ-60.000MHZ
        頻率穩(wěn)定度 ±10ppm,±15ppm
        工作溫度  - 40 ~ + 85℃
        保存溫度  - 40 ~ + 85℃
        電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) 0.1 VDD / 0.9 VDD
        啟動(dòng)時(shí)間 5 ms Max.
        相位抖動(dòng)(12千赫?20兆赫) 1個(gè)PS最大。
        老化率 ±3 ppm /年最大。



        抗沖擊
        晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
        輻射
        暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體振蕩器產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
        化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
        請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
        粘合劑
        請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
        鹵化合物
        請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
        靜電
        過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。


        輸出波形與測(cè)試電路
        1.時(shí)序表


        2.    測(cè)試條件
        (1)   電源電壓
            超過 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
            電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
        (2)   其他
           輸入電容低于 15 pF
           5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
           鉛探頭應(yīng)盡可能短。
           測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
        (3)   其他
            CL包含探頭電容。
            應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
            使用微型插槽,以觀察波形。
        (請(qǐng)勿使用該探頭的長接地線。)

        3.    測(cè)試電路

        OSC73 :在頻率電壓控制功能時(shí),進(jìn)行連接       
        1CMOS 負(fù)載
        型號(hào):

        OSC73
        ·          
        2 抗低,電容負(fù)載
        型號(hào):

        OSC73
        ·               
        3 TTL 負(fù)載
        型號(hào):

        OSC73
        ·   
        4 LV-PECL 負(fù)載
        型號(hào):

        OSC73
        ·            
        5LV-PECL 負(fù)載
        型號(hào):

        OSC73 
         
        6 LV-PECL 負(fù)載
        型號(hào):

        OSC73
         
        7 LVDS 負(fù)載
        型號(hào):

        OSC73
         
        8 HCSL 負(fù)載
        型號(hào):

        OSC73

        深 圳 市 金 洛 電 子 有 限 公 司
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        進(jìn)口晶振,晶振廠家,32.768K晶振,16mm微孔霧化片,2.4M陶瓷霧化片,KDS溫補(bǔ)晶振,精工SSP-T7-F晶振,TXC晶振,大真空DST310S晶振,愛普生晶振MC-146,SC-32S晶振,3225貼片晶振,西鐵城晶振,TO-39聲表面濾波器,進(jìn)口京瓷晶振,陶瓷晶振,FA-20H石英晶振,西鐵城晶振CM315,LVDS差分晶振,恒溫晶振,美國進(jìn)口晶振,VCXO壓控晶振,耐高溫晶振
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