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        晶振系列

        首頁(yè)進(jìn)口晶振Pericom晶振,FL晶振,3225晶振,SMD晶體

          Pericom晶振,FL晶振,3225晶振,SMD晶體

        • 規(guī)格型號(hào):56490911
        • 頻率:12.000MHZ~66.000MHZ
        • 尺寸:3.2*2.5*0.65mm 詳細(xì)資料請(qǐng)查看PDF
        • PDF
        • 產(chǎn)品描述:常用于在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無(wú)線(xiàn)通信等領(lǐng)域.

        Pericom晶振,FL晶振,3225晶振,SMD晶體
        頻率范圍:12.000MHZ~66.000MHZ
        激勵(lì)電平: 10μW (Max. 100μW )
        負(fù)載電容: 16PF
        工作溫度: -20℃~+10℃
        保存溫度: -55℃~+125℃
        精度 ±10ppm,±20ppm,±30ppm,±50ppm
        捆包單位:3000pcs/reel
        尺寸:普通小型3.2*2.5*0.65
        應(yīng)用:車(chē)載藍(lán)牙耳機(jī),行車(chē)記錄儀,汽車(chē)?yán)走_(dá),車(chē)載導(dǎo)航系統(tǒng),車(chē)載顯示屏設(shè)備,車(chē)載冰箱,車(chē)載路由器,車(chē)載MV
        等產(chǎn)品。

                Pericom我們是一家專(zhuān)為計(jì)算、通訊與消費(fèi)產(chǎn)品市場(chǎng)提供集成化連接、先進(jìn)時(shí)頻和信號(hào)完整性解決方案的、快速增長(zhǎng)的晶振半導(dǎo)體公司。我們的技術(shù)為高帶寬、高速串行連接協(xié)議所引起的挑戰(zhàn)提供了系統(tǒng)設(shè)計(jì)解決方案。
               在Pericom,質(zhì)量是全體員工共有的理念,其質(zhì)量管理體系被設(shè)計(jì)為確保所有最終端產(chǎn)品都處于有效運(yùn)作狀態(tài)。 Pericom的石英晶振質(zhì)量方針是為我們的客戶(hù)提供世界級(jí)的產(chǎn)品的承諾。


                Pericom晶振,FL晶振,3225晶振,SMD晶體的生產(chǎn)公司百利通亞陶是美國(guó)創(chuàng)立的一家晶振公司,在臺(tái)灣設(shè)立工廠(chǎng),3225晶振已被確立為最適合用于汽車(chē)電子領(lǐng)域的貼片石英晶振,一直以來(lái)都被世界各大汽車(chē)生產(chǎn)商爭(zhēng)相采用,FL晶振同時(shí)符合了歐洲聯(lián)盟的ROHS規(guī)定,和汽車(chē)電氣委員會(huì)的AEQ-Q200的標(biāo)準(zhǔn),可放心使用。

        百利通亞陶晶振型號(hào) FL晶振,亞陶貼片晶振
        頻率范圍 12.000MHZ~66.000MHZ
        頻率公差(25℃)  ±10ppm,±20ppm,±30ppm,±50ppm可指定
        頻率穩(wěn)定度超過(guò)工作溫度范圍 ±30ppm,±50ppm 可指定
        操作溫度范圍  -20℃~+70℃,可指定
        并聯(lián)電容CO 5pF Max.
        驅(qū)動(dòng)電平 10μW (Max. 100μW )
        負(fù)載電容 8pF~32pF可指定
        老化(25℃) ±3 ppm /年最大。
        存儲(chǔ)溫度范圍 -55℃~+125℃



        操作
        請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸SMD晶振的表面。
        使用環(huán)境(溫度和濕度)
        請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用產(chǎn)品。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。 
        激勵(lì)功率
        在晶體單元上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致石英晶體特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 (請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容)。
        負(fù)極電阻
        除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。
        負(fù)載電容
        振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致進(jìn)口晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容)。


        輸出波形與測(cè)試電路
        1.時(shí)序表

        2.    測(cè)試條件
        (1)   電源電壓
           超過(guò) 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
          電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
        (2)   其他
           輸入電容低于 15 pF
           5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
           鉛探頭應(yīng)盡可能短。
           測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
        (3)   其他
            CL包含探頭電容。
            應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
            使用微型插槽,以觀(guān)察波形。
        (請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線(xiàn)。)

        3.    測(cè)試電路

        FL :在頻率電壓控制功能時(shí),進(jìn)行連接
        1CMOS 負(fù)載
        型號(hào):

        FL
        2 抗低,電容負(fù)載
        型號(hào):

        FL
                      
        3 TTL 負(fù)載
        型號(hào):

        FL
                       
        4 LV-PECL 負(fù)載
        型號(hào):

        FL
                         
        5LV-PECL 負(fù)載
        型號(hào):

        FL
        6 LV-PECL 負(fù)載
        型號(hào):

        FL
        7 LVDS 負(fù)載
        型號(hào):

        FL
        8 HCSL 負(fù)載
        型號(hào):

        FL

        深 圳 市 金 洛 電 子 有 限 公 司
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        進(jìn)口晶振,晶振廠(chǎng)家,32.768K晶振,16mm微孔霧化片,2.4M陶瓷霧化片,KDS溫補(bǔ)晶振,精工SSP-T7-F晶振,TXC晶振,大真空DST310S晶振,愛(ài)普生晶振MC-146,SC-32S晶振,3225貼片晶振,西鐵城晶振,TO-39聲表面濾波器,進(jìn)口京瓷晶振,陶瓷晶振,FA-20H石英晶振,西鐵城晶振CM315,LVDS差分晶振,恒溫晶振,美國(guó)進(jìn)口晶振,VCXO壓控晶振,耐高溫晶振
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